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新格拉斯多晶硅生产方案将在SNEC上亮相

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-04-17  浏览次数:609
核心提示: 2013年4月13日,德国新格拉斯科技集团将在SNEC上展示晶硅电池背钝化技术的生产方案(如PERC,发射极钝化和背场钝化)。该方案能在
       2013年4月13日,德国新格拉斯科技集团将在SNEC上展示晶硅电池背钝化技术的生产方案(如PERC,发射极钝化和背场钝化)。该方案能在现有的晶硅电池生产线上进行升级,无需使用选择性发射极,通过AIOx/SiNy 背钝化膜来大大提升电池的转换效率, 目前已经达到20.1 %,是全球在大规模生产金属丝网印刷晶硅电池领域得到的最高效率之一。

该集团通过增加额外的三个工艺步骤实现对现有产线的升级。在镀膜前对电池背面用单面抛光设备LINEA II进行湿化抛光。

该集团可提供研发用的一道设备,也可提供多道至10道的大规模生产设备。该集团开发的SINGULAR XP设备是运用PECVD(离子增强化学气相淀蹟)来制作背钝化膜。该设备用ICP(间接等离子法)工艺来提高消耗品的利用率,从而降低成本。该集团正紧密加强与伙伴的合作,使用激光开孔的方法做背面接触。该技术方案整合了工艺步骤到现有的生产线中,使晶硅电池的转换效率提升大约1%左右。

该集团还与哈默尔恩太阳能研究机构(简称ISFH)合作将丝网印刷晶硅电池的转换效率从18.5%增加到20.1%。 这一全新的记录也得到了弗劳恩霍夫光伏校准实验室的独立认证。

 
 
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